" r- S. \+ N) U" J' G由于SSD中每个储存块的擦写次数是固定的,一旦超过就会造成该块无法再被使用,也就是损坏的情形,所以「磨损均衡」会优先让数据写入擦写次数较低的块,让每个块被平均使用。% w6 Y, q$ v- n
当SSD的容量越大时,能被擦写的块就越多,因此每个块就越不容易被重复擦写,自然也就越不容易损坏,进而让SSD的耐用度及使用寿命提高。& x* H" O; ]. L
( x1 g. X+ [; I T) |5 K$ bTBW值更大 ) d) h P) S# q9 t6 o' x依照JEDEC的定义,TBW (Tera Bytes Written) 的数值说明一个SSD的总写入量,简单来说就是该SSD的生命周期内能够被写入的数据总量为多少TB,以致态TiPlus 7100 2TB为例,其TBW值为1200TBW,这意味着它在生命周期内能够被写入1200TB的数据总量。% F! T, I5 E" Q( t. Y2 ^- Q
* a, j- ~3 @+ v4 e" }1 u# {容量越大的SSD,TBW值就会越大,这个SSD能被写入的数据量就越多,也就间接表示可以使用的更久。 # f9 z. ? I' p' ?8 i 9 [" N/ k, Q) h7 o3 s除了容量外,TBW还和P/E周期和写入放大两个因素相关。其中P/E周期是NAND能进行擦写循环的次数,1次写入加1次擦除为1个P/E周期,理论上来说,SLC的P/E周期为100000次、MLC为5000 ~ 10000次、TLC为1000次。需要注意的是,P/E周期次数不是说SSD读写1000次就会坏掉, 而是SSD单一的储存块可以被擦写的循环次数。 ) _* Y: b' E9 s" t0 L7 v写入放大WAF(Write Amplification Factor) 是表示实际写入SSD的数据量与主机要求一次数据写入量的比值。WAF的数值主要由主控决定,而且这个数值其实在一般的SSD规格表中无法知晓。 ) n: t/ O7 o" o- g# l5 N1 B2 J9 u/ p $ j5 H- x U$ m+ S R2 iSLC缓存更多& B0 {$ R( \- _
SLC缓存是在SSD的NAND Flash中划分出部分空间作为缓存区,在这个缓存空间内通过模拟SLC的写入方式来达到「加速」的存取效果。因为是将SSD部分空间划分作缓存使用,所以若缓存空间达到上限时,读写速度就会降回原本SSD中NAND Flash的存取速度了。9 O" }: m5 f. w4 K
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厂商给SSD设定的SLC缓存空间大小是不定的,比较激进的是将30%的SSD容量用作SLC缓存,鉴于现在市面上SSD主流为TLC NAND,这意味着全盘模拟了SLC,好处是缓存容量够大,坏处是如果SSD容量比较小,SLC缓存将很快用完,然后传输速度大幅下降。 $ S6 _) \' Y" P% j0 F而当SSD容量越高,厂商给SLC缓存设定的容量也越多,例如2TB的SSD照30%的模拟SLC缓存策略,将有600GB左右的缓存容量,而大多数人并不可能一次性写入这么大的文件,因此平时传输文件时能够获得极速体验。$ K6 [+ }. y5 N: L w( `