" b. P, }: k; ^6 y 9 E y8 d5 C2 y C: }. A5 y. U1 \ SSD寿命是怎么算的？MLC寿命是写入1万次，它这1万次是怎么算的？是往固态硬盘里粘贴一个文件算一次还是粘贴完再删除掉算一次？" f5 h" A% Z, E1 ?. B8 f
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# P+ b$ y2 G. S% @8 T擦写次数如何算？& W7 n. {; }9 ^, z
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要了解SSD固态硬盘寿命，需要先了解一下SSD固态硬盘中的存储介质NAND闪存。NAND闪存原理上是一个CMOS管，有两个栅极，一个是控制栅极(Control Gate), 一个是浮栅(Floating Gate). 浮栅的作用就是存储电荷，而浮栅与沟道之间的氧化层(Oxide Layer)的好坏决定着浮栅存储电荷的可靠性，也就是NAND闪存的寿命。 5 X! c8 y- \: s+ V) Z0 D; F* b% ~. E: q L) z0 E2 l
在NAND闪存中，P/E Cycle，也称为擦除次数，是判断NAND闪存寿命的关键参数。随着P/E Cycle的增加，浮栅与沟道之间的氧化层被磨损的越来越严重，导致浮栅中电子的控制越来越艰难，最终结果就是，NAND的寿命走到了尽头。每颗NAND闪存，不管MLC或者TLC，在出厂的那刻，寿命就固定了，所以，减少PE cycle，是延长SSD固态硬盘寿命的主要方式。 : Y% s+ Z5 C9 {( ]8 v$ _% ~. d, ^, M9 a* D3 X8 N } Z, S
Host擦除次数与NAND擦除次数的区别. [" |+ m( v# a/ L2 z9 ]
3 K5 h, C! x. g* [! r ^/ P 当我们从电脑上(也就是Host端)往SSD固态硬盘中写入一些数据，然后再擦除，这部分只能算是Host端的擦除次数，并不是SSD存储介质NAND闪存真正的擦除次数。在这里有一个关键的参数，叫做写放大(WA, Write Amplification). WA=NAND闪存写入数据量/Host写入数据量。% y! O Y4 P0 l3 k7 g) t9 p" D
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当我们顺序写入数据时，NAND闪存端与Host端写入的数据量基本一致，这是写入放大WA=1。 - h9 F$ @3 e4 x. [1 ^. D* Y$ H 6 o& E7 e: j+ R- A* P 当我们随机写入数据时，NAND闪存端与Host端写入的数据量就会产生差异，因为这个过程中涉及到了垃圾回收(Garbage Clean)。0 U, Z: O2 S6 w5 j, M- \/ \
3 k Z, R* H' t7 C 比如，我们写入在上图的Block X写入4页数据A,B,C,D, 之后我们写入新的数据E,F,G,H以及A,B,C,D的更新数据A',B',C,D'.这样的话，原来的A,B,C,D已经是无效数据。由于NAND闪存只能以块为单位进行擦除。之后，SSD启动垃圾回收GC，这样的话就需要把E,F,G,H,A',B',C,D'这8个数据搬到新的Block Y, 然后把Block X擦除。所以，当我们从Host端写入一个文件时，NAND闪存增加的写入次数可能会比Host端看到的多。0 }( h! x3 J- O7 H1 z
5 _# q( M8 ? K' [1 S* ^" r, O普通用户是否需要考虑SSD寿命的问题？- b# q$ ^6 [- c5 X/ P
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对于我们普通用户来说，SSD固态硬盘寿命是我们很为在意的问题，那么，我们是否真的需要纠结这个问题呢？小编觉得没有必要，主要有以下两方面考虑： 9 }5 G* F0 }& `: _ ! V) ^7 a8 a2 y S 1.SSD的优化技术 - u$ ^% L8 {4 w( Y * m7 }( o. w# o& J' d 现在的SSD中，SSD主控厂商和SSD协议都努力优化了SSD的寿命问题。比如主控厂商对GC的优化，NVMe协议中Multi Stream等功能，都尽可能的减少对NAND闪存的写入次数，延长SSD的寿命。9 d5 [8 \1 Z3 v6 k0 f
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2. SSD质保值得信赖& E: o# d& T( L. t9 A# y5 x
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在SSD的产品信息中，我们经常会看到两个参数: 质保年限和终生写入量TBW. 质保年限，很好理解，就是SSD厂商对SSD品质保证期，目前市场上质保年限一般都是3~5年。终生写入量TBW，是允许SSD固态硬盘在整个寿命周期内写入的数据总量。8 N4 L6 }' L$ n* R# ]5 Y
发表于 2024-5-12 10:37:49
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