' R; ?! s; y/ _. j: a# E' V6 R突然大幅度上涨的存储芯片行情正让头部厂商获得数倍的收入和盈利增长。其中韩国半导体巨头三星电子利润增长最为突出,一季度三星整体实现经营利润57.2万亿韩元,同比增长756%;SK海力士一季度净利润40.35万亿韩元,同比增长398%;美国存储巨头闪迪(SNDK)2026财年第三财季(也即公历今年第一季度)净利润36.75亿美元,环比大增280%。, \( t5 H0 ~+ _4 x C/ U
; o' ~) y# T5 F1 c$ Z8 b今年以来,韩股半导体板块表现亮眼,SK海力士、三星电子近一年股价分别累涨683%,308%,5月4日开盘延续强劲涨势,截至发稿,SK海力士再涨6%,三星电子涨超2%。 $ K; m, c6 A3 i5 I; h D0 C, B E4 v美股市场上,半导体板块同样吸睛,闪迪(SNDK)美股股价近一年以来狂飙3542%,西部数据(WDC)涨超880%,希捷科技(STX)涨超700%。$ n8 P! [- ] F# ]& K' w. W7 P
c# R& E A5 E( [0 }" u7 S: v& w" e集体赚翻6 h# M. I* A+ y$ |+ |3 z
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涨价和缺货行情驱动下,各大存储厂商的业绩表现堪称“炸裂”,尤其是盈利能力方面。 - P" L4 n9 R( f1 U + B+ X7 ]1 w$ P' o) U/ h8 I% n三星电子发布的财报显示,第一季度公司实现销售收入133.9万亿韩元,同比增长69%,环比增长43%,其中半导体(881121)事业部(DS部门)实现销售收入81.7万亿韩元,环比增长86%。 % {: T. x' }3 [1 B! y 3 x# e. h" B. V) b盈利表现更是亮眼。第一季度三星整体实现经营利润57.2万亿韩元,环比增长184.6%,同比增长756%,也就是超过七倍。 1 R2 G! l6 V! |4 E% s; }, Z 1 ]) u8 R6 S, L6 |+ H(三星电子第一季度存储业务表现,图源:三星电子财报) 3 P+ f$ b% {" k+ y n% d2 c 0 Q; C$ \* l7 _, }2 O L0 M其中,存储业务成为公司该季度当之无愧的业绩贡献核心。三星的DS事业部主要包括存储芯片和晶圆代工两大类业务,在第一季度,存储芯片实现销售收入74.8万亿韩元(环比增长101.62%),晶圆代工收入则为6.9万亿韩元(环比持平)。0 A- i! n6 d' l3 ]# R4 [
6 q* M7 L; \" u( @8 I; E2 h据统计,这也是DS部门收入占集团总营收首次超过50%。DS事业部的经营利润在第一季度为53.7万亿韩元,在2025年第四季度则是16.4万亿韩元,这意味着环比上涨了超过2倍。 ; R; U1 u$ w8 c! y; `/ B$ [$ \) \7 K2 I. Z5 ^
根据三星方面分析,高附加值AI产品销量增长、持续供应短缺推动平均售价上行、旗舰级SoC芯片销售规模扩大,是推动DS事业部业务大幅增长的核心原因。 `5 z$ [0 D2 K B$ q+ D2 O, ^ # n, Y; q& [8 Z/ C! u0 i% [: S. YSK海力士一季度营收达52.58万亿韩元,同比暴增198%,环比增长60%。盈利表现同样耀眼。一季度公司实现经营利润37.61万亿韩元,同比增长405%,环比增长96%;净利润更是达到40.35万亿韩元,同比大增398%,环比增长165%;毛利率79%,同比提升22个百分点,环比提升10个百分点。: a! }; B; m3 \' F% P3 J- H" M
4 ^, V- C8 b* u/ ?! Q# ]+ `公司方面指出,这是源于DRAM(内存)与NAND(闪存)价格上涨,推动高附加值产品对公司占比提升;同期公司营业利润率达72%,创历史新高,该数据在上一个季度为58%,上年同期则为42%。 , B0 o; g5 D+ Z! v+ m. G! {+ T4 C, n' _6 y7 Z) m" C
根据SK海力士管理层分析,尽管第一季度通常是存储市场的季节性淡季,但由于全球正加大对AI基础设施的投资,导致强劲的需求行情在持续。公司通过提高高附加值产品的销量,包括HBM(高带宽内存)、大容量服务器DRAM模块和eSSD,保持了业绩增长势头。 ; z! |& Q6 t1 \1 {+ u+ E4 p* ?- u* i: e F' }& R
对于地缘政治引发的部分原材料和能源成本上涨问题,公司方面指出,通过供应商多元化及长期协议,有效降低了波动带来的影响。8 ~& A/ l5 c; Q! M" w9 k% y
, M% d" _$ K) y2 c. O6 l8 `闪迪(SNDK)(SanDisk)在Non-GAAP条件下,2026财年第三财季(也即公历今年第一季度)实现营收59.5亿美元,环比增长97%;期内实现毛利率78.4%,环比增长27.3个百分点;净利润36.75亿美元,环比大增280%。 ' }! p* ~7 N5 q8 I G8 n 2 ]9 X) Y% K+ _8 r" {/ B2 L闪迪(SNDK)首席执行官David Goeckeler表示:“本季度是闪迪(SNDK)发展的一个根本性转折点,公司正主动调整业务结构,在数据中心业务的引领下,向高价值终端市场倾斜。”根据披露,这里提到的高价值市场主要指向数据中心业务,在该季度营收环比增长233%。3 B8 d: b) u- F* |4 ?
1 S6 _: `+ A( _8 M% T- }/ q+ T ~综合来看,存储芯片巨头集体业绩暴涨背后,是芯片市场转向卖家市场后的一种自然选择:存储供应商将更多产能和产品转向具备更高价值空间的AI基础设施领域,同时,供不应求也导致存储芯片价格持续上涨。 ! {9 [; d3 i1 F, Q1 Z2 Q6 c4 {- k. n' O/ d+ V- B7 U
此外多家公司也提到,正在推动新的商业模式,从过往短期协议转向长期。据21世纪经济报道记者了解,已经有上游存储原厂在探讨与手机等消费品大厂签订五年期合约,以保证更长期、稳定的价格与供应,此前这种合约多为一年期。8 h0 z& u* H5 f4 M
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David Goeckeler也提到,闪迪(SNDK)正推行全新商业模式,依托客户多年期合作协议及稳固的财务履约承诺开展业务。: P, F( w% T9 E2 `. f8 y
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SK海力士方面谈到,多年期长期协议可以为双方提供业务稳定性,即保障客户的供应稳定性,同时为卖方提供需求可见性和稳定的收入结构。* M1 m6 P J2 ]- w; [) q7 q* |
; L- }+ M; \- R& |$ a* w两极分化 : Y5 Q- t; b, W7 v# Z% v8 `+ M7 m7 }% i. ^" d
存储芯片市场短期内难以缓解的供不应求行情,推动芯片价格整体全面上涨。- N: C9 Y N# q
; ?2 Z. E0 ?% a# n- k$ l从SK海力士披露的单价表现,可以明显感受到存储芯片涨价的持续性和涨价幅度。在今年第一季度,该公司销售的DRAM单价(ASP)环比上涨约65%,NAND单价环比上涨75%。 $ N1 F& T9 H7 l* B9 d2 D: F$ P& }/ c
(SK海力士披露的收入和单价等表现,图源:SK海力士财报) ! W$ T( z4 v) _! k- f( S9 i9 l# [1 _1 Z: `3 E5 R/ G
而在刚启动涨价的2025年第三季度,DRAM单价环比上涨约5%,NAND单价环比上涨约10%~15%;第四季度DRAM单价环比上涨约25%,NAND单价环比上涨30%~35%。 ) ?! Y0 M) H4 Y! P* _2 z2 X, {9 R& i' y5 Q1 m8 w
尽管整体业绩亮眼,但下游终端市场表现出明显分化。数据中心市场成为绝对的增长引擎。; F j& V+ r, H/ ] v+ o6 T
+ k7 r: J; ^ y, k+ {/ Z, x$ ?9 n, pSK海力士方面也坦言,受存储价格上涨带来的成本压力影响,PC和移动设备端已经出现一定需求疲软的迹象,部分产品的既定出货量面临短期调整。不过服务器存储的持续旺盛需求将抵消这种疲软,并推动整体市场实现增长。7 ?/ p1 b6 G6 R. f
3 z$ ^0 j7 Z4 h2 [/ K对于市场关心的缺货问题,业界普遍认为:短期紧缺行情无法得到缓解。3 }, c K7 x7 i* L
# u( i7 B$ g; O6 Q2 ~针对近期存储现货市场的波动情况,SK海力士管理层分析认为,现货存储市场占整体DRAM市场的比例极小,其交易的产品类型、数量均与公司业务覆盖的范畴有较大差别。 ) q2 U9 }6 o3 a* W- A; v! i# @9 ]" M
管理层强调,现货市场的变化并不能反映整体市场情况。实际上,公司主要客户对于HBM、服务器DRAM和企业级SSD内存的需求仍在全面增长。同时,由于短期内市场仍处在供不应求态势下,将导致本轮内存价格上涨周期比以往更长。 8 s5 P" R- z; D* o. z# g6 r; ~4 h& [1 u( I$ k2 t
整体来看,SK海力士分析,AI技术的飞速发展,推动行业正从大力发展大模型训练,快速演进到推理与智能体(Agentic AI)阶段,这驱动DRAM和NAND为代表的存储需求在动态扩容。预计DRAM和NAND价格利好的行情将持续。对此,公司也计划面向这两大市场持续推出芯片来满足需求。( P. p3 h9 U- l
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对此,SK海力士预计2026年资本开支同比大幅增长,公司正加快龙仁集群晶圆厂的建设。其中,一期工程计划于2027年初完工,此后,计划分阶段执行二至六期的投资。不过公司方面也提到,没有在龙仁之外新建或收购其他晶圆厂的计划。 : H% X1 C/ ?* `( Q+ A. f2 n+ S! c( v
公司方面指出,短期内供应仍将无法满足结构性增长的需求,同时强调,目前下游客户和存储供应商均认为,保障供需长期可见性的重要性。 ( w8 }; j( G! i8 Q/ W; Z- s) B$ h) u1 O8 p! s. V1 O
对于下半年存储业务部署思考,三星电子方面表示,服务器DRAM与固态硬盘(SSD)市场有望持续保持高景气。其中,超大规模云厂商持续扩张AI业务,将推动企业级大模型落地应用加速释放需求;智能体(Agentic AI)发展将进一步拉动需求增长。对此,公司将持续提升DDR5、SOCAMM2等高附加值AI产品的营收占比;同时聚焦KV Cache(缓存)场景的高性能产品,率先布局第三代PCIe 6.0企业级固态硬盘市场。& X% j- S6 e. z! A- F
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在近日一次公开演讲中,三星电子执行副总裁兼方案平台开发团队负责人张实完(Silwan Chang)谈到,人工智能正经历从“生成式AI”向“物理AI(Physical AI)”的深刻跨越。他以深圳街头的自动驾驶为例,强调物理AI需要在真实世界中学习、测试并做出最优决策。有别于处理静态文本或图像的生成式AI,物理AI高度依赖高分辨率视频、3D点云等连续时间序列数据的庞大吞吐。 & @$ j) d4 Z8 T. p$ t3 \4 w. P* P- r8 _0 A
“为使物理AI在真实世界中可靠运行,高性能存储已不再是可有可无的选项,而是决定系统决策效率与规模的核心基石。”张实完表示。面对物理AI时代激增的数据需求,三星围绕“高性能、高密度、散热管控与安全性”四大支柱,构建了面向未来的下一代AI服务器存储技术路线图。 " l/ P# }$ C- Z" o0 [ k * P5 u; Z S, s! P- |! q综合各方表态,存储芯片的供应紧张局面至少在2027年之前难以根本缓解,甚至有业内人士对21世纪经济报道记者分析,考虑到上游扩产仍需时间,2028年存储芯片紧俏情况不排除会加剧。本轮由AI驱动的存储芯片“超级周期”,其长度和强度,都将远超以往。 2 b" ?4 D# T2 Z! q- ? ; t# S8 x! ?6 X6 S) S$ {% F+ ?* e% u+ |4 R, C" Z7 Z
当然你也可以直接拨打电话13101986181,让我帮你组装电脑,装机!/ I2 y$ g0 b& n% s8 T7 M* K : o+ J# `) h+ W0 S