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+ l+ |5 m# f/ NDRAM内存芯片和内存条、NAND闪存和SSD硬盘正在新一轮的上涨周期中加速狂奔,集邦咨询在最新报告中大幅上调了二季度的价格涨幅预期,尤其是内存。
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2024年第一季度,内存芯片合约价格上涨了多达20%,原本预计二季度会小幅上涨3-8%,但是集邦咨询最新修正为13-18%。
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NAND闪存的趋势也类似,一季度已经涨了多达23-28%,二季度原本预计涨13-18%,但现在上调为15-20%。
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唯一利好的就是eMMC/UFS闪存,预计第二季度只会涨大约10%——其实也不少了。
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& e3 N5 b+ r2 ]3 U( ^" g4 K) |$ ePC厂商出于种种考虑开始接受内存、闪存合约价大幅上涨,尤其到了4月底,新一轮合约价谈判陆续完成,涨幅超过此前预期,一方面是买方有意愿增加库存,另一方面是AI需求持续强劲。
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说到AI,一方面AI推理服务器越来越考虑节能,优先采用企业级QLC SSD,也会占用相当大的产能,导致消费级的NAND出现紧缺。
$ h9 O+ A/ a; k4 O! b更关键的是,AI对于HBM高带宽内存需求旺盛,原厂都在纷纷扩产。
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比如三星的HBM3E,使用了先进的1α工艺,尤其是第三季度会大幅扩产,预计到今年底这部分产能将占到大约60%,自然会排挤DDR5的产能,进一步加剧涨价。
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业界从今年第二季已开始针对2025年HBM进行议价。
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6 \0 l5 K+ s: E9 \4 t不过受限于DRAM总产能有限,为避免产能排挤效应,供应商已经初步调涨5%-10%,包含HBM2e,HBM3与HBM3e。
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之所以议价时间会提前到二季度,集邦咨询表示原因主要包括三点:
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1、HBM买方对AI需求展望仍具高度信心,愿意接受价格续涨;
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2、HBM3e的TSV良率目前仅约40%-60%,因此买方愿意接受涨价以锁定质量稳定的货源;
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+ D) E* e2 d+ m, y* E3、未来HBM每Gb单价可能因DRAM供应商的可靠度,以及供应能力产生价差,可能影响供应商获利。
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前不久SK海力士CEO曾表示,公司按量产计划2025年生产的HBM产品基本售罄,主要由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求。
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不仅如此,此前SK海力士还宣布其2024年HBM的产能已被客户抢购一空。
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SK海力士认为,目前HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%,预计到2028年这一比例可以达到61%。
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" \0 x2 h0 r5 J! d9 E顺带说一下机械硬盘。
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统计数据显示,今年一季度全球实现2970万块机械硬盘出货,环比增长3%。
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总出货量上排名第一的是西部数据,实现1172万块硬盘出货,环比提升8.4%,占全体市场的39.5%,总出货容量达127.55EB,平均容量为10.9TB,环比提升30%。
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希捷紧随其后,上季度实现1132万块硬盘出货,环比下降1.9%,占全体市场的38.1%,总出货容量达99.13EB,平均容量为 8.8TB,环比提升8%;
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4 O0 c) R' b( W9 g8 Z% x1 R东芝在上季度实现664万块硬盘出货,环比提升 2.2%,占全体市场的 22.4%,总出货容量达127.55EB,平均容量为5.3TB,环比提升20%。
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更早之前,希捷于4月18日向客户发函,宣布将对新订单和额外需求实行价格提升,并预计未来数个季度价格将持续上涨。
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9 Z0 _) a' L, S8 L西部数据已经对机械硬盘和固态硬盘两大类产品进行了涨价,并表示将更积极地根据市场变化执行价格调整策略。
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西数和希捷对机械硬盘实施涨价的原因主要有两方面:一是人工智能热潮导致对大容量存储需求的增加,二是去年早期市场不景气导致供应减少,产能受到一定程度的限制。
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