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DRAM内存芯片和内存条、NAND闪存和SSD硬盘正在新一轮的上涨周期中加速狂奔，集邦咨询在最新报告中大幅上调了二季度的价格涨幅预期，尤其是内存。
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2024年第一季度，内存芯片合约价格上涨了多达20％，原本预计二季度会小幅上涨3-8％，但是集邦咨询最新修正为13-18％。
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NAND闪存的趋势也类似，一季度已经涨了多达23-28％，二季度原本预计涨13-18％，但现在上调为15-20％。
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唯一利好的就是eMMC/UFS闪存，预计第二季度只会涨大约10％——其实也不少了。
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PC厂商出于种种考虑开始接受内存、闪存合约价大幅上涨，尤其到了4月底，新一轮合约价谈判陆续完成，涨幅超过此前预期，一方面是买方有意愿增加库存，另一方面是AI需求持续强劲。
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( @9 `, J; y$ a0 b& }" J5 N- G6 x说到AI，一方面AI推理服务器越来越考虑节能，优先采用企业级QLC SSD，也会占用相当大的产能，导致消费级的NAND出现紧缺。
' o0 y& X3 _. U8 v更关键的是，AI对于HBM高带宽内存需求旺盛，原厂都在纷纷扩产。
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比如三星的HBM3E，使用了先进的1α工艺，尤其是第三季度会大幅扩产，预计到今年底这部分产能将占到大约60％，自然会排挤DDR5的产能，进一步加剧涨价。
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) n9 k/ u" m# A, L3 a8 }8 U- e业界从今年第二季已开始针对2025年HBM进行议价。
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不过受限于DRAM总产能有限，为避免产能排挤效应，供应商已经初步调涨5%-10%，包含HBM2e，HBM3与HBM3e。
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之所以议价时间会提前到二季度，集邦咨询表示原因主要包括三点：
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1、HBM买方对AI需求展望仍具高度信心，愿意接受价格续涨；
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2、HBM3e的TSV良率目前仅约40%-60%，因此买方愿意接受涨价以锁定质量稳定的货源；
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2 v6 ]. r$ l' d! }* t) z3、未来HBM每Gb单价可能因DRAM供应商的可靠度，以及供应能力产生价差，可能影响供应商获利。
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2 V( b( b4 a8 ]" } w2 u前不久SK海力士CEO曾表示，公司按量产计划2025年生产的HBM产品基本售罄，主要由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求。
( I x& j) [' A) a; _5 C4 O不仅如此，此前SK海力士还宣布其2024年HBM的产能已被客户抢购一空。
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SK海力士认为，目前HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%，预计到2028年这一比例可以达到61%。
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) n6 c E. N7 \- d! g+ p8 C顺带说一下机械硬盘。
& e2 b! p. C7 _$ Y" x1 ~统计数据显示，今年一季度全球实现2970万块机械硬盘出货，环比增长3%。
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4 T: ~# @* ?& ~/ V3 ~总出货量上排名第一的是西部数据，实现1172万块硬盘出货，环比提升8.4%，占全体市场的39.5%，总出货容量达127.55EB，平均容量为10.9TB，环比提升30%。
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6 ~; P8 _6 A1 B1 P希捷紧随其后，上季度实现1132万块硬盘出货，环比下降1.9%，占全体市场的38.1%，总出货容量达99.13EB，平均容量为 8.8TB，环比提升8%；
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东芝在上季度实现664万块硬盘出货，环比提升 2.2%，占全体市场的 22.4%，总出货容量达127.55EB，平均容量为5.3TB，环比提升20%。
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更早之前，希捷于4月18日向客户发函，宣布将对新订单和额外需求实行价格提升，并预计未来数个季度价格将持续上涨。
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7 t4 {& j# d# i) N# t, q7 q西部数据已经对机械硬盘和固态硬盘两大类产品进行了涨价，并表示将更积极地根据市场变化执行价格调整策略。
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西数和希捷对机械硬盘实施涨价的原因主要有两方面：一是人工智能热潮导致对大容量存储需求的增加，二是去年早期市场不景气导致供应减少，产能受到一定程度的限制。
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发表于 2024-5-22 08:16:51