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SSD寿命是怎么算的?MLC寿命是写入1万次,它这1万次是怎么算的?是往固态硬盘里粘贴一个文件算一次还是粘贴完再删除掉算一次? 7 M- g Z' A" Q; R2 ?. N- A6 K/ N! _ ]% P8 v+ N8 q0 {. c. ?
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擦写次数如何算? 2 R8 W G3 `) m1 U / Y. o0 w" ^/ ]2 E6 F' V 要了解SSD固态硬盘寿命,需要先了解一下SSD固态硬盘中的存储介质NAND闪存。NAND闪存原理上是一个CMOS管,有两个栅极,一个是控制栅极(Control Gate), 一个是浮栅(Floating Gate). 浮栅的作用就是存储电荷,而浮栅与沟道之间的氧化层(Oxide Layer)的好坏决定着浮栅存储电荷的可靠性,也就是NAND闪存的寿命。9 R* D( Y: y& { a/ a2 {5 q* O
9 K0 U$ g4 l C8 U$ ~ 在NAND闪存中,P/E Cycle,也称为擦除次数,是判断NAND闪存寿命的关键参数。随着P/E Cycle的增加,浮栅与沟道之间的氧化层被磨损的越来越严重,导致浮栅中电子的控制越来越艰难,最终结果就是,NAND的寿命走到了尽头。每颗NAND闪存,不管MLC或者TLC,在出厂的那刻,寿命就固定了,所以,减少PE cycle,是延长SSD固态硬盘寿命的主要方式。* u$ B* E1 ~0 ?
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Host擦除次数与NAND擦除次数的区别, A. M" ?2 s/ Q% z, V
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当我们从电脑上(也就是Host端)往SSD固态硬盘中写入一些数据,然后再擦除,这部分只能算是Host端的擦除次数,并不是SSD存储介质NAND闪存真正的擦除次数。在这里有一个关键的参数,叫做写放大(WA, Write Amplification). WA=NAND闪存写入数据量/Host写入数据量。 ( I3 E7 L& Q" [1 m , G+ h6 M3 a3 _1 p6 h. t: ~, h4 }7 d$ z 当我们顺序写入数据时,NAND闪存端与Host端写入的数据量基本一致,这是写入放大WA=1。 6 Z/ M; y& \- `$ }2 }: t/ h' Z, i3 T8 \& I; F Z: t
当我们随机写入数据时,NAND闪存端与Host端写入的数据量就会产生差异,因为这个过程中涉及到了垃圾回收(Garbage Clean)。 M: s. D! s7 u/ D- l
' `/ w& S: c5 V# [) H4 k 比如,我们写入在上图的Block X写入4页数据A,B,C,D, 之后我们写入新的数据E,F,G,H以及A,B,C,D的更新数据A',B',C,D'.这样的话,原来的A,B,C,D已经是无效数据。由于NAND闪存只能以块为单位进行擦除。之后,SSD启动垃圾回收GC,这样的话就需要把E,F,G,H,A',B',C,D'这8个数据搬到新的Block Y, 然后把Block X擦除。所以,当我们从Host端写入一个文件时,NAND闪存增加的写入次数可能会比Host端看到的多。( m! {/ N$ S3 N" ~; Q
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普通用户是否需要考虑SSD寿命的问题?. b* S5 Y: `9 W3 K* S% ]
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对于我们普通用户来说,SSD固态硬盘寿命是我们很为在意的问题,那么,我们是否真的需要纠结这个问题呢?小编觉得没有必要,主要有以下两方面考虑:" c1 M4 I) I3 ]/ f! B& ^
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1.SSD的优化技术4 r2 p5 |/ B6 H3 Z5 G" {* }
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现在的SSD中,SSD主控厂商和SSD协议都努力优化了SSD的寿命问题。比如主控厂商对GC的优化,NVMe协议中Multi Stream等功能,都尽可能的减少对NAND闪存的写入次数,延长SSD的寿命。8 T' H/ U/ B8 p6 T3 @
- j3 }( V4 l9 P( n 2. SSD质保值得信赖 # b8 [) v+ p; K) P! G, \8 E 1 z: O u' p1 Z. ~1 h: N 在SSD的产品信息中,我们经常会看到两个参数: 质保年限和终生写入量TBW. 质保年限,很好理解,就是SSD厂商对SSD品质保证期,目前市场上质保年限一般都是3~5年。终生写入量TBW,是允许SSD固态硬盘在整个寿命周期内写入的数据总量。$ f" P6 P. a, k
$ `, V- u$ F; v K% G$ e8 G 不过,需要强调一点的是,SSD厂商的承诺中,质保年限和终生写入量TBW并不是并列的关系,如下图。 2 E! g3 D1 K) |# n: h3 V0 ?! ?9 O! |8 ^% V, h
二者之间是"或"的关系,意思是,只要满足其中一个条件,那么,这个SSD的保质期就过了。8 _0 ^+ ^1 h/ K' \0 Q" Y2 A