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[电脑常识] 为什么2024年内存和固态硬盘开始涨价了?啥原因造成的!

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发表于 2024-2-22 16:54:05 | 显示全部楼层 |阅读模式
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为什么内存和固态硬盘开始涨价了?如题,是不是大家需求高了,就涨了?还有其它的原因吗?
. x) ?5 I. I8 s9 Z2 `  h: _) C. N5 }

# m) b/ ~6 G* w  W; l如果加上时间去理解这件事,就能清晰了,我也在小米发布会和红米发布会中也听到了消息,为啥会产生这样的现象,大概有以下因素:
/ @' z+ m5 n6 l  I8 g8 c/ C, y4 C: L& T3 ?
1、上游成本上涨:0 h& f& l: U4 T+ j" P

4 F/ T/ E3 g' E1 F' ^存储行业的成本增加,尤其是NAND晶圆颗粒的成本上涨,会直接影响到终端产品的价格。如果上游成本上涨20%,终端市场的价格也可能会相应上涨20%甚至更多。内存和固态硬盘的制造需要使用大量的芯片和闪存等原材料。全球范围内的原材料供应链受到多种因素的干扰,这些因素导致原材料的价格上涨,进而推动了内存和固态硬盘的成本增加。
; t& C! a* X2 w& A1 D' S4 k4 t4 o; Z+ w1 b& M: S
2、市场需求反弹:- d0 {9 N2 m/ [' _

' M, p! K) \5 n* o预计2024年消费电子市场可能会触底反弹,这将会带动对固态硬盘的新需求。随着市场的需求增加,价格自然有上涨的趋势。如果市场上的需求增加,而供应量没有相应的增加,那么价格就会上涨。在小米和红米的发布会上提到的涨价消息,可能是由于市场需求的增长导致的供需失衡。# L5 y; ?# n3 H/ y

) z$ D) H2 `: l* ?) A3、行业恢复预期:- o6 H$ y8 U. h( t, W* N
: i: ~) A4 I, ^! U# U
多家分析机构预测,2024年可能是IT行业复苏的转折点。在行业整体复苏的预期下,内存和固态硬盘等关键组件的价格也可能受到影响。. l) m( ]8 C8 s$ x5 f# M6 d1 N

3 K0 H& o, G: i7 ]4、价格周期变化:
3 i- g0 n0 `" T% R/ {. J
& w7 @0 ?9 T2 ?4 N5 x$ u' p  U2 ~内存和固态硬盘的价格有时会出现周期性的波动。在经历了一段时间的价格下跌之后,市场价格可能会进入上涨周期。虽然技术进步通常会降低生产成本,但在竞争激烈的市场中,制造商为了争夺市场份额,可能会通过提高产品性能而不是降低价格来吸引消费者。这种竞争可能导致供应商之间的定价策略发生变化,从而影响最终的销售价格。
% _  h  s* W# ~& i* m6 l! l4 s( A# S
5、边际成本问题
" U' f2 c& e$ m  L
6 |" g. r5 e& q, A
/ S! h7 s7 B" x  z当固态颗粒的价格跌破其现金成本(边际成本)时,意味着销售越多亏损越多。为了维持行业的健康发展,生产商可能会提高价格以恢复到合理的盈利水平。* f7 H6 ^% k1 E; H

6 ~' \1 m3 q! o' A' q2 k' ~6、存储芯片价格上涨
/ M3 Q( Q# Y3 O) K: b) d/ W( g$ }8 V# `; \( o, B" N
报告指出,移动设备的DRAM、NAND存储芯片价格将进一步上涨,2024年第一季度环比涨幅可能扩大至18~23%。这种上涨趋势也可能会引发恐慌性采购,进一步推高价格。
3 K, O/ N/ C; B& u" Q2 v) q. [. @. Y; b5 ]
7、制造工艺和良品率9 e2 S; n- T) Y. i7 x3 d
+ ?/ _, M1 V' c, v$ N/ @% w

6 Q% N9 N! z+ [如果制作芯片的硅晶圆等原材料涨价,或者制作工艺、良品率跟不上产品升级换代的步伐,成本增加之后,新一代产品的价格也会相应上涨。, w9 O: w1 ~- s3 U5 v9 A
% V* K1 Y9 @: D# f2 Q' J1 z
8、行业周期性波动
" b! E0 m$ b" N# T! D. T
9 D6 |8 D' n; E+ h2 S内存和固态硬盘行业可能会经历周期性的波动,包括价格的上涨和下跌。例如,2018年内存价格的大幅上涨可能是由于市场供需关系的变化和其他经济因素导致的。
3 a/ X( K" W4 S8 j# i2 B' a% g! g9 L  B
综上所述,内存和固态硬盘的价格变动受到多种因素的影响,包括原材料成本、市场需求、行业发展趋势以及价格周期等因素。消费者在购买时可能需要关注这些动态,以便做出更合理的购买决策。对此大家是怎么看的0 i3 O% Y7 K8 b
& l" |9 q- m, ~* h
+ D: s- I4 I# N& E' ]1 ^# m
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