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存储芯片这场荒,可能比谁想的都长。 9 ~) m6 R! i3 `) J5 s! v
) O6 i( k( X# E/ XSK海力士CEO郭鲁正最新预警,全球存储芯片短缺将一路延续到2030年之后,比机构此前预判的2028年二季度DRAM缺口拐点,硬生生又拉长了两年多。 . ?" s) x: r+ J8 c" L+ }3 t
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据郭鲁正披露,SK海力士未来数年的多数规划出货量,已经被下游客户以长期供货协议的方式提前锁定。 , T0 _ i1 S3 x' u
6 F6 l( {$ v* f7 J6 E也就是说,晶圆还没跑出来,货就已经名花有主。剩下能流向现货市场的份额,被进一步压缩。 3 _+ n9 v/ q. `' W- z" b0 g
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高端HBM是被锁得最紧的一块。
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/ w! o( `( A$ t$ T* \) ~0 W# y) nNVIDIA、AMD等AI芯片厂商为了保障GB300、MI350这类算力平台的量产,几乎把SK海力士、三星、美光的HBM3E和HBM4产能预订到了2026年之后。 % z. G, X# s( a- I& I: w
) Z9 m& s7 j. {0 KHBM单颗价格是普通DDR5的5倍以上,毛利率更是数倍差距,产线自然优先向这里倾斜。
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" [' `: B; G! c( D8 s存储行业的产能扩张,不是加钱就能立刻变货。 7 O$ Q3 Y+ [8 u1 ?
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这轮短缺的深层原因,是三个环节同时吃紧:
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• 晶圆制造:12英寸先进制程晶圆厂建设周期普遍需要2-3年,投产后爬坡还要1年 7 I: @8 Z% T; ~" s4 M( {
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• EUV光刻设备:ASML的高数值孔径EUV机台年产能有限,2026年之前基本被台积电、三星、英特尔瓜分完毕
0 p4 p, J6 @5 v5 S% K% y: ?1 X• 先进封装:HBM依赖的TSV硅通孔和CoWoS封装产能,同样被AI芯片吃掉大头 n, }: e+ o3 {9 w; ]& b
三道口子任何一道松不开,整条供应链的产出就上不去。 C2 V; Y' n6 Y" q9 O4 Y. b9 e8 r
' L% g6 X8 N. n) X被挤压的一头,是PC、手机、汽车电子这些通用终端。
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! R3 w. u5 j! h6 Y# F# |$ k$ Z0 ~过去半年,DDR5内存条零售价已经翻了一倍不止,16GB DDR5 6000单条从三百多元涨到近七百元,32GB套装普遍站上一千五百元关口。 % a1 O8 X# v0 L- y0 D
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NAND闪存端,主流1TB NVMe SSD价格同比上涨接近40%,部分型号甚至出现渠道断货。 3 Y$ X7 g, f, v6 G5 M+ ~
O$ g# ^4 ~( O o0 d% A; Z" |手机厂商日子也不好过。
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+ \* v. d' B2 |9 L7 a小米、OPPO、vivo新机的存储配置成本,据供应链消息,单机较去年同期增加了60-100元。
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6 v8 c- i* v- B5 U4 h, X汽车电子端,车规级DRAM交期已经拉长到40周以上,部分车企被迫调整智能座舱配置方案。
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- I. P ?$ _7 g+ [% q6 {% k; `SK海力士的应对方案是砸钱扩产。 1 c& Q( S+ i+ O( i/ G. W( u; m
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公司已宣布在韩国龙仁半导体集群、美国印第安纳州同步扩建HBM、NAND及先进封装产线,目标是五年内整体晶圆产能翻倍。
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三星、美光也在跟进类似规模的资本开支。
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只是这些新增产能落地要到2027年以后,中间这段真空期,就是普通消费者要扛的账单。
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/ W+ ~7 I1 e( r. ?: ^对于近期计划装机、换机的用户,一个现实建议是内存和固态该买就买,等价格回落大概率要到2027年之后。 ; A9 a( c. d9 ^* P5 A5 J
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