' h9 P4 }# @) F' }& ?
7 {8 o5 B# ]- V7 C' V7 \
随着市场需求看涨、供需结构改善、价格拉升、HBM崛起,预计2024年的DRAM内存、NAND闪存行业收入将分别大幅增加75%、77%,2025年增速有所回落但依然会分别有51%、29%。/ `) |; [1 b8 W9 _$ ?: H
5 v/ u7 l3 u5 ^2 H6 mDRAM内存芯片平均价格在2024年将会上涨多达53%,2025年将会继续上涨35%。 ) Y7 G" T! ?, `, J+ _, J ' _5 {; ~& D9 @6 w受此推动,DRAM内存行业2024年营收将达907亿美元,2025年进一步达到1365亿美元,创下近十年来的新高。( T, s' l$ b0 k& }" \$ o) q: A0 c
. _- i$ _! k- [7 e0 r( J
其中,DDR5在2024年、2025年服务器内存出货容量中的占比预计分别能达到40%、60-65%,LPDDR5/5X在笔记本内存中的占比分别可达50%、60%,它们都有助于整体价格的拉升。( n. ~( o& k. Y; G2 z( X: j7 D2 a
8 r. c! Y8 X4 k3 T
HBM的崛起也是一股重要力量,尤其是在AI的强势推动下,预计2024年出货容量可贡献整体的5%,收入则占到20%。 ( }+ S& W. C' f7 k) U8 \2 C+ u$ }8 N" W1 o, j' o
NAND闪存方面,预计2024年行业收入674亿美元,2025年可达870亿美元,同样是近十年来的新纪录。) P) P# i! U8 |
8 v f- R! q9 M1 VQLC虽然大家都看不上,但普及是必然,AI服务器已经开始大量采用企业级QLC SSD,预计2024年出货容量占比可达20%。3 f& N& o3 x& p1 U3 f
- V' R: ~5 d% X$ ^" P* C智能手机UFS存储也会逐渐引入QLC,中国厂商预计今年底就开始,苹果预计2026年。8 a! C: z6 |" y
5 p$ X3 z) W( G c; {
说完行业,接下来看看新品。' c" w1 a$ }; c$ W$ t& N1 N& G
4 c7 R2 v& R7 J+ M$ J- [
芝奇宣布,专门为AMD AM5锐龙平台打造的DDR5 Trident Z5 Royal Neo皇家戟EXPO版超频内存,新增加CL28超低延迟版本,为电竞玩家、超频高手提供更极致的体验。 ' N" Z7 `" k4 q/ W7 T1 \4 ?6 r. v& z! ]- c% ?" Z
此次推出的新版套装,分为两种规格,一是延迟CL28-36-36-96、频率6000MHz,容量2x16GB或者2×32GB,二是延迟CL28-38-38-96,频率6000MHz,容量2×24GB或者2×48GB。! J. t% I5 |. E
5 m4 K7 ~) F [) A, @4 n如果追求尽可能低的延迟,同时兼顾频率、容量,可以考虑前者。如果既需要低延迟,也需要大容量,后者更适合。 % N. w! w8 c7 g4 K! K1 k a$ y$ n1 Z0 |0 b* W# k @2 E& k
以上套装均支持AMD EXPO超频技术,只需在主板BIOS中开启此功能,搭配合适的处理器,就可以直接以标称频率、延迟规格启动、运行。7 P# @" h0 y' p# U: m) s4 E
% E% r) D4 a, }% h) S作为皇家戟家族成员,它延续了超跑般的独特流线造型散热片设计,经过精工细腻的电镀处理,拥有如镜面清澈透亮的高质感光泽,搭配如水钻般晶亮璀璨的导光设计,金银双色可选。 3 E5 g; C' Q& l9 j ) _& r$ k; T7 G, s5 y6 M全系都是高质量的DDR5 IC颗粒,并采用严苛的测试标准与验证流程。 ) C7 @2 a$ I4 Q5 m : Y2 b" a: u1 a新内存计划8月起上市,具体价格暂未公布。 5 L' Q( p5 l Y9 n! V! u# A5 w8 B/ u1 q% M( Z. E3 O
其实,Trident Z5 Royal Neo皇家戟EXPO系列旗舰级DDR5内存刚官宣没多久,专为AMD Zen5架构的锐龙9000系列平台打造。! v2 A( f- h, O
$ P7 X* }' c! x0 O( j新内存支持AMD EXPO内存规范,只需搭配可支持的处理器、主板,设置为Uclk、Mclk 1:2分频,就可以轻松跑到8000MHz高频率。- x8 s% C# \, ^2 {
q* ^8 ^4 T/ c
同时,时序控制在CL38-48-48-127,容量可选双条24GB或双条16GB。 4 A. Q* S; A9 ?0 s. ~0 O . h( T; ]. u( r2 P1 U% M- L闪存方面,美光科技宣布,其第九代(G9)TLC NAND技术的SSD已正式投入量产并开始大量出货,成为全球首家实现这一技术突破的公司。 ( @ L; i+ Q; q$ I0 r! x; c, f! K( h 2 m- N- J2 f+ ^# w6 _美光G9 NAND传输速率3.6 GB/s为业界最高,为个人设备、边缘服务器以及企业级和云端数据中心的AI和数据密集型应用提供了高速带宽。 ) V# a. L' \6 ]+ L3 Z 3 \) x4 H2 M# C) K# o3 F: T与现有竞品相比,G9 NAND的数据传输速率提升了50%,每晶粒的写入带宽扩大了99%,读取带宽扩大了88%。 ; H. A/ x1 g0 G. n! c! k% K K0 g( L, p9 U
此外,美光G9 NAND延续了前代产品的特色,采用11.5mm x 13.5mm的封装,体积较竞品缩小了28%,成为市售体积最小的高密度NAND。' m6 R y, v3 o' w: j4 I
; ]3 V9 v& ]; o( D3 E
美光副总裁暨用户端储存事业部总经理Prasad Alluri指出,尽管PCIe Gen4市场理论上近乎饱和,美光2650 SSD采用最新的G9 NAND技术,推进了TLC用户端SSD的性能极限。* h# g6 m& d, O# O' ]
! r* x; w. U1 p. b5 o' @4 p
在PCMark 10的测试中,该产品的表现比竞品高出38%,预示着将重新定义同等级SSD的用户体验。 7 t" @2 Y7 E" {+ e4 ^ 9 q, O3 y6 x/ j9 I该产品在PCIe Gen4下提供了连续读取速率高达7000 MB/s,相较于竞品,连续读取速率最高提升了70%,连续写入速率最高提升了103%,随机读取速率最高提升了156%,随机写入速率最高提升了85%。) ^5 @; {; h: n# B
! B7 ~' K0 h9 M+ a" V' Q' Y
此外,新紫光集团旗下品牌紫光闪芯发布了紫光闪存UNIS SSD S2系列固态硬盘,容量可选1TB、2TB,目前价格暂未公布,官方称即将登陆紫光闪存京东自营旗舰店。+ u) l* P, `! L; Z1 M