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[电脑常识] 涨价潮下买SSD?先弄明白这些问题!

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发表于 2024-2-29 16:26:07 | 显示全部楼层 |阅读模式
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今年的NAND颗粒市场价格依旧在上升,可以预见固态硬盘还会涨价。越是价高,预算就越不能浪费。然而,无论你预算如何,先明确下面这些问题,你才可以做到每一分钱都用在刀刃上!3 U; r* h: c- S( P0 g. h, V

* _$ R5 n' T, \$ u1 a6 J7 W: H! P机器形态:给谁用?
) }& S0 h& t- h. l" f# f
4 [5 z1 t( b3 L5 A一般来说,台式机用主要考虑主板是否有自带的散热装甲,有的话,那么一些自带散热装甲且无法或难以拆下来的固态硬盘(一般是高端旗舰级),就不是很好安装上去,因为总高度超过散热装甲高度了,在一些槽位会和显卡起冲突。2 [# F: ^- X+ J% G

6 x' h, q- {: v  @+ e# N8 u如果散热装甲太厚,就容易和显卡起冲突。而老主板往往只有这一个M.2槽位
  K( j4 Z. ~% j. q' k0 Q0 B, ^8 |+ }, B- o
而对于笔记本电脑来说,需要考虑的就要多一些。首先就是大部分带金属散热装甲的SSD就无法安装了。双面颗粒的形态也不行。另外,还要考虑到一个散热问题。某些中低端但又带DRAM缓存的SSD产品,会有比较大的发热量,装进笔记本电脑的升级槽位或者原有槽位后,散热条件也不容乐观,容易出现过热掉速甚至掉盘的问题。# \- O" v$ K% V5 G5 W

& K4 b. e1 s; m: P: z, a' r: X6 _速度规格:哪个档次最合适?+ ^: I% f! M8 d4 j, m9 v
4 x9 J& y9 _8 ]: X0 E# S9 Q
尽管现在国产颗粒主控的PCIe4.0产品满天飞,但市场上仍然有不少PCIe3.0的产品。因此,形成了1500MB/s、3000MB/s、4500MB/s、7000MB/s几个大的读写区间档次。
% i* M! M0 S. g5 y, k4 r; M) ~* U. J' o
对于旧平台来说,本身只支持到PCIe3.0,因此无需购买PCIe4.0产品,节约的预算可以用来扩充容量。除非是散热条件非常差的笔记本电脑,否则不要选择1500MB/s的PCIe3.0产品,因为颗粒和主控方案往往比较老旧了,除了兼容性外,没什么特别优势,性能也一般。PCIe3.0产品推荐选择3000/3500MB/s级别产品。而PCIe4.0产品,笔记本可以选择4500/5000MB/s产品,留出散热冗余,而台式机如果有重负荷生产力场景需要,可以选择7000MB/s级别产品,否则在这个价格飞涨的时期,普通办公和游戏,4500/5000MB/s产品反而有更高性价比。) T8 {, T/ i) A, W1 d

0 U- m5 _5 z* h# e0 T& L9 \* KPCIe5.0?
: ~% s) |1 v% \9 n3 h7 n1 s4 \/ c; d3 o, E0 W8 t8 I
如果你不是极客用户,职业电竞玩家,或者专业影像工业工作者,一片涨声中不推荐。性能是香,但价格也太贵了!9 X3 W. [& L# s! ~& F: z$ T
1 x( @9 F4 I/ U
国产品牌PCIe5.0 1TB价格接近1400元,而国际品牌的型号更贵
4 L( t4 ~. m$ [) f* X, _- Y# }% S! e9 ]9 H+ t4 w* l6 B$ i' m% _: e
有缓无缓,也有三种情况. P1 B9 z! `; ^9 a4 L

9 D6 R" l- E1 d" I0 F+ l: q' T$ `很多人肯定说,那还用说,肯定有缓!目前无论有缓还是无缓产品,其实是分成了三类:) o5 Q& r* T  V0 U
( {" K3 I2 h5 Q, ^& }" e# M
1.DRAM硬件缓存
: v7 y$ W( I+ l. K; y+ U
6 @" e  V' h2 ?: h5 q( }: _- n硬件DRAM缓存的作用主要是存放文件的FTL表,也就是告诉主控这个文件在哪些颗粒单元里,或者这个文件可以往哪些空闲且连续的颗粒单元里写入,因此可以提高SSD的读写速度。
( I3 o4 K8 I; }7 i! h9 u- a" Z( j4 s% u! y* |) d9 |* G9 L* O
DRAM缓存还有一个功能就是缓解写放大。固态硬盘写入数据之前, 必须要先擦除整个block区块, 由于固态硬盘最小的写入单位是页, 即便文件不足一页也会占据整个页,当所有的页都占满以后,下次要存放数据时,就得把不足一页的数据先搬出来合并,擦除整个区块以后再写入,加速硬盘的寿命磨损,所以每次写入新数据之前, 部分主控会根据情况,把待写入的数据先放在DRAM里,等存够一页以后再写入进NAND颗粒中, 长时间使用后,部分被删除的数据也需要释放页的空间,所以部分厂商也会借助DRAM缓存来做GC垃圾回收和磨损捐赠等功能,不同厂商的算法不同, 但DRAM缓存的用途大体都是接近的。- w% q# {1 P% C' v, I0 ?
5 A1 V1 \6 _$ e8 n
一旦DRAM缓存快速耗尽(就是无法再存储FTL表和进行页面腾挪操作),就会出现“缓外”掉速。; V0 q' z6 w  n/ j+ ^# O8 p  M6 x
4 w0 Y# `8 `$ Q. o$ Q! a+ H
但是采用DRAM缓存,会提高成本,加大发热。
1 n' x6 f; ?9 V1 D$ `- V9 w8 m% d$ G* q0 A5 R
2.SLC模拟Cache9 @+ B  B* V$ m' f
9 ~" Z: R" a& Y; b) y6 B
因此有缓方案里还有一种是直接用TLC颗粒的单元模拟出一个或者两个SLC单元,用来做缓存。写入数据的时候, 先往这一部分被模拟出来的SLC区域写入数据,速度就能维持在一个较高值了,等硬盘闲置下来以后, 再把这部分缓存的数据写入到TLC内, 释放这部分区域。而这部分区域就被我们称之为SLC Cache,但是SLC Cache不能无限大, 因为SLC Cache是要占用原本TLC的空间。当SLC用完以后,主控就只能硬往TLC区域写数据,此时速度就会降下来了, 这就是为什么固态硬盘在写入数据一段时间以后会发生掉速的原因了。以西数SN850X为例,1TB的硬盘可以有最大200GB+的模拟SLC缓存。" D4 q& }8 X6 U$ D7 [  w7 R

' o# C4 R' N6 C. P图片可见SLC 状态时读写信息量大、读写动作少
( {8 f5 [8 S+ i; \0 n7 F/ t" |; ^% O+ N, \
当然,旗舰级消费硬盘一般同时具有硬件DRAM+SLC cache的缓存,这种综合方案性能高且稳定,也能有效控制发热,但是价格非常高。
0 Z% w4 E0 f& G; j0 b3 X
4 F/ R6 f& h7 z7 q6 F+ c- Z$ h3.HMB方案
2 L$ T6 Z! ?9 D2 r5 F$ r2 G, J0 d  Z& z% e" P7 A8 m) J
而最后一个方案,也是目前流行的“无缓”方案,就是HMB。简单来说就是利用PCIe总线高速性能和现在装机大内存,启动机器后,自动将部分内存划出来存放FTL表,起到DRAM缓存的作用,略慢于原生DRAM缓存,但大大好于没有DRAM。能通过优化FTL表,提高读写效率和颗粒寿命。
) q1 P& |/ C& B
3 F8 n) ]4 x  D5 a+ n4 t5 O( c- B这也是目前大多数无缓产品采用的解决方案。
1 K) |5 q. j$ I% X/ i
1 J  ?) p; ]7 O) f7 u' Z1 p0 o如果只是办公上网和非影像生产力环境,HMB方案已经足够;其次游戏玩家可以考虑部分中低端DRAM缓存方案;3A和电竞游戏玩家、影像生产力工作者,预算充足,考虑旗舰级硬件DRAM缓存+SLC缓存的方案。! V/ N1 A! s* r* b

0 I8 k  I0 ^8 O, o- E0 g颗粒与主控:国产跟上后,操心少了
6 E( G0 q0 ]! B; ]1 Z# U  h  I7 {; H7 b8 [7 \* i
说到这里,很多人可能要问,颗粒呢?主控呢?
8 M- F! ]" G+ e/ P& Q6 f% Z' p0 N6 H. O9 A; S
过去国际品牌SSD,往往是自用原厂颗粒+自用主控的组合,至今也是如此,例如西数、铠侠、英睿达等;或者原厂颗粒+定制主控,如金士顿、海力士、soliding等;或者OEM原厂颗粒+成熟公版主控,如技嘉、宏碁等。如今其实国际品牌基本还是靠这样的模式维持着不错的品质。1 A( E9 m. ?1 B$ V8 o3 N4 d+ p
  L+ u1 N; j7 K5 b( j) X. {
但是国产品牌已经发生变化,从前说来历不明黑片白片+普通公版主控,如今基本都变成了国产原厂颗粒+成熟国产公版主控。例如长江存储颗粒+联芸/英韧主控,基本上国产SSD都变成这个模式了,稳定性和性能都大大提高,操心少了。当然,从实际表现来说,联芸主控更适合消费级产品,英韧主控的发热稍大,还是需要根据需求进行选择的,但已经比原来省心了。/ m( q, v( }0 Y6 D

0 s* n' t3 ?. M: a$ D确定了这些问题,就能大大缩小你SSD的选择面,为你的SSD采购提供最为精确的指导!
0 S* S9 V  n5 r$ d$ q/ N3 ^0 J" L1 c! k  S1 @2 i9 j& \
当然你也可以直接拨打电话13101986181,让我帮你组装电脑,装机!/ A% ?- s+ v2 Y* K% k& i3 ?7 d

! F4 K+ [9 E1 z# K" u) P# {" [ * d, z/ Y6 P$ I. B: W( Q
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